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IGD06N60T	文件：460.08 Kbytes Page：12 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGD06N60TATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 88W TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：376.67 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：494.78 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：331.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHD06N60RA	文件：824.92 Kbytes Page：12 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：520.309 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：354.49 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：379.05 Kbytes Page：4 Pages	Field-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=6A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SolarConverters ·UninterruptedPowerSupply ·UPS,PFC ·WeldingConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IKB06N60T	文件：371.12 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
IGD06N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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