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H05N60F	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power supl 文件：60.77 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H05N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage MOSFET	HSMC 华昕	HSMC
MGS05N60D	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This IGBT contains a built–in free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient operation at higher frequencies. • Built–In Free Wheeling Diode • Built–In Gate Protecti 文件：135.89 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMG05N60D	文件：138.49 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：138.49 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMG05N60D	文件：135.03 Kbytes Page：6 Pages	POWERLUX IGBT This IGBT contains a built–in free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient operation at higher frequencies. • Built–In Free Wheeling Diode • Built–In Gate Protection Zener Diode • Industry Standard Package (SOT223) • High Speed Eoff: Typic 文件：135.03 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

技术参数

Channel：
N
VDSS(V)：
600
ID(A)：
5
VGS(V)：
±30
RDS(on)Max.(ohm)：
2.3
RDS(on)@VGS(V)：
10
RDS(on)@ID(A)：
2.5
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

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更多H05N60F供应商更新时间2026-3-31 14:02:00

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