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|---|---|---|---|---|
H04N60F | N-Channel Power Field Effect Transistor Description This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power supl 文件：60.85 Kbytes 页数：5 Pages | HSMC 华昕 | HSMC | |
H04N60F | High Voltage MOSFET | HSMC 华昕 | HSMC | |
Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??technology 文件：464.28 Kbytes 页数：12 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
IGBT in TRENCHSTOP technology 文件：349.79 Kbytes 页数：12 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency 文件：886.12 Kbytes 页数：16 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Channel：
N
- VDSS(V)：
600
- ID(A)：
4
- VGS(V)：
±30
- RDS(on)Max.(ohm)：
2.2
- RDS(on)@VGS(V)：
10
- RDS(on)@ID(A)：
2
- RoHS(Note1)：
PF
- Status(Note2)：
M
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
H |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
华昕 |
99+ |
TO-220-3 |
150 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
华昕 |
23+24 |
TO-220F |
59630 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
询价 | ||
H |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
HSMC |
23+ |
28988 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
MOT |
25+ |
1 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 | |||
YUANZHUANG |
2021+ |
3SOT23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ADI |
2006 |
5/SOT23 |
151 |
全新原装 绝对有货 |
询价 | ||
FUJITSU |
新 |
60 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
WESTCODE |
23+ |
模块 |
595 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 |
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更新时间2025-12-13 14:02:00
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