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H02N60F	文件：74.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：74.96 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H02N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage MOSFET	HSMC 华昕	HSMC
H02N60I	文件：74.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：74.96 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H02N60J	文件：74.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：74.96 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H02N60S	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：77.67 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC

技术参数

Channel：
N
VDSS(V)：
600
ID(A)：
2
VGS(V)：
±30
RDS(on)Max.(ohm)：
4.4
RDS(on)@VGS(V)：
10
RDS(on)@ID(A)：
1
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H02N60F供应商更新时间2025-10-14 10:05:00

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