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STGW35NB60S

丝印:GW35NB60S;Package:TO-247;N-channel 35A - 600V - TO-247 Low drop PowerMESH??IGBT

Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. Features ■ Low on-voltage drop (VCEsat) ■ Low input capacitance ■ High current capabil

文件:274.81 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GW35NB60SD

N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT

文件:242.39 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    GW35NB60S

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多GW35NB60S供应商 更新时间2025-8-13 15:30:00