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STGW30N120KD	文件：423.46 Kbytes Page：15 Pages	Marking：GW30N120KD；Package：TO-247；30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH™p	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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STGW30N120KD

文件：423.46 Kbytes

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Marking：GW30N120KD；Package：TO-247；30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH™p

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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详细参数

型号：
GW30N120KD
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT

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更多GW30N120KD供应商更新时间2025-6-28 14:09:00

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