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IRF123	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF123	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRF123

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IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

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产品属性

产品编号：
GVA-123+
制造商：
Mini-Circuits
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
频率：
10MHz ~ 12GHz
P1dB：
16.3dBm
增益：
7.1dB
噪声系数：
6.9dB
射频类型：
LTE，MMDS，无线局域网
电压 - 供电：
4.8V ~ 5.2V
电流 - 供电：
52mA
测试频率：
850MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
IC RF AMP LTE 10MHZ-12GHZ SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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