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ASM810LEUR-T	文件：220.91 Kbytes Page：10 Pages	3PinMicrocontrollerPowerSupplySupervisor	ALSC Alliance Semiconductor Corporation	ALSC
ASM810MEUR-T	文件：220.91 Kbytes Page：10 Pages	3PinMicrocontrollerPowerSupplySupervisor	ALSC Alliance Semiconductor Corporation	ALSC
ASM810REUR-T	文件：220.91 Kbytes Page：10 Pages	3PinMicrocontrollerPowerSupplySupervisor	ALSC Alliance Semiconductor Corporation	ALSC
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ASM810TEUR-T	文件：220.91 Kbytes Page：10 Pages	3PinMicrocontrollerPowerSupplySupervisor	ALSC Alliance Semiconductor Corporation	ALSC
AWS810	文件：158.03 Kbytes Page：3 Pages	AutomaticWeatherStationAWS810 Features •Completesolutionforweather datacollection •Excellentexpandabilityand flexibility •Modernsecurityarchitecture •WMO‑compliantsensorsanddata validation •Includesthenextgeneration VaisalaDataManagementUnit DMU801 •Enhancedremotemaintenance andconfigurati	VAISALAVaisala 维萨拉（北京）维萨拉（北京）测量技术有限公司	VAISALA
BCL-810	文件：178.02 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingtongueTerminalfor8AWGWire,StudSize10,Un-plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-810-PL	文件：178.46 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor8AWGWire,StudSize10,Plated,	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BD810	文件：91.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD809 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD810	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD810	文件：132.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD809 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD810	文件：127.28 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPTransistors ♦Features •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •WithTO-220package	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BD810	文件：49.56 Kbytes Page：8 Pages	POWERTRANSISTORSPNPSILICON PlasticHighPowerSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain-hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •Pb-FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD810	文件：127.26 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD810G	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD810G	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BR810	文件：223.26 Kbytes Page：2 Pages	Highforwardsurgecurrentcapability	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
BR810	文件：17.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Idealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BR810	文件：113.46 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT8.0Amperes FEATURES •Lowcost •ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 •Highforwardsurgecurrentcapability •Idealforprintedcircuitboard •Highisolationvoltagefromcasetoleads •Hightempe	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BR810	文件：227.08 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT8.0Amperes FEATURES •Lowcost •ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 •Highforwardsurgecurrentcapability •Idealforprintedcircuitboard •Highisolationvoltagefromcasetoleads •Hightempe	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS

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产品属性

产品编号：
GV810_R1_00001
制造商：
Panjit International Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
55pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
SURFACE MOUNT RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GV810_R1_00001	Panjit International Inc.	24+	TO-277	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	GV8500	GENNUM	19+	WQF16	72477	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
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更多GV810供应商更新时间2024-6-18 15:00:00

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