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BD810分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	BD810
参数属性	BD810 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 10A TO220
功能描述	POWER TRANSISTORS PNP SILICON TRANS PNP 80V 10A TO220
封装外壳	TO-220-3
文件大小	49.56 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-21 1:01:00
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BD810规格书详情

BD810属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BD810晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

Plastic High Power Silicon Transistor

These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc

• Pb-Free Packages are Available*

产品属性

产品编号：
BD810
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.1V @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 4A，2V
频率 - 跃迁：
1.5MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220

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