BD810G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD810G |
| 参数属性 | BD810G 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 10A TO220 |
| 功能描述 | Plastic High Power Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
86.03 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-14 11:30:00 |
| 人工找货 | BD810G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BD810G规格书详情
BD810G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BD810G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
BD810G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.1V @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 4A，2V
- 频率 - 跃迁：
1.5MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
38658 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ROHM/罗姆 |
2450+ |
TSOP |
8850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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ON |
23+ |
TO220 |
700 |
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询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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ROHM/罗姆 |
23+ |
TSSOP14 |
50000 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
21+ |
TSSOP |
1995 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
TO-2203LEADSTANDA |
8866 |
询价 |
