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BD810G

Plastic High Power Silicon Transistor

文件:86.03 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD810G

Plastic High Power Silicon Transistors

文件:95 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD810G

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 10A TO220

ONSEMI

安森美半导体

BR810

SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

文件:22.98 Kbytes 页数:2 Pages

RECTRON

丽正

BR810

SINGLE PHASE 8.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 8.0 Amperes FEATURES * Low leakage current * Low forward voltage * Mounting: Hole thru for #6 screw * Mounting position: Any

文件:145.62 Kbytes 页数:2 Pages

BYTES

BR810

SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 8.0 Amperes Features ● Surge overload rating - 125 amperes peak ● Low forward voltage drop ● Mounting position: Any ● Small size; simple installation ● Silver plated copper leads ● Ceramic case on BR8 series

文件:47.63 Kbytes 页数:2 Pages

GOOD-ARK

固锝电子

产品属性

  • 产品编号:

    BD810G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.1V @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 4A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    1.5MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 10A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多BD810G供应商 更新时间2026-4-17 14:36:00