GT60N321中文资料IGBT for soft switching applications数据手册Toshiba规格书
GT60N321规格书详情
描述 Description
Number of Circuits：2
Built-in Diodes：Yes
Comments：Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 60 A
Breakdown Voltage VCES 1000 V
技术参数
- 产品编号：
GT60N321(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，60A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
330ns/700ns
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3PL
- 供应商器件封装：
TO-3P（LH）
- 描述：
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
东芝 |
24+ |
TO-3PL |
6525 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA |
11+ |
TO3P |
1796 |
原装 |
询价 | ||
TOS |
23+ |
TO-3PL |
3000 |
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100 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-3PL |
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TOSHIBA |
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TO-3PL |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA |
2023+ |
TO-3P |
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TOSHIBA |
25+23+ |
TO-3PL |
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