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GT60M301中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT60M301

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:14:00

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技术参数

  • 型号:

    GT60M301

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

  • 制造商:

    Toshiba

  • 功能描述:

    900V 60A Cut Tape

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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