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GT60N321 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 TOSHIBA/东芝
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
GT60N321(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,60A
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
330ns/700ns
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3PL
- 供应商器件封装:
TO-3P(LH)
- 描述:
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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