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GT60M303中文资料IGBT for soft switching applications数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT60M303

功能描述

IGBT for soft switching applications

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:51:00

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GT60M303规格书详情

描述 Description

Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
Comments:Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC 60 A
Breakdown Voltage VCES 900 V

技术参数

  • 型号:

    GT60M303

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 900V 60A 3PIN TO-3P(LH) - Rail/Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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