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GT52N10D5 | 丝印：GT52N10；Package：DFN8L-5/6；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.12002 Mbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
GT52N10D5 | 100V N Channel SGT MOSFET The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
丝印：GT52N10；Package：DFN8L-5/6；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.35594 Mbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | ||
QFN48 | GOODIX | |||
SOP | GOODIX |
技术参数
- Package：
DFN5*6-8L
- Type：
N
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
100
- Vgs(V)：
±20
- Id(A)：
71
- Pd(W)：
100
- Vgs(th)max(V)：
2.5
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
6
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
7.3
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
7.5
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
9.5
- Qg(nC)：
50
- Qgs(nC)：
8
- Qgd(nC)：
10
- Ciss(pF)：
2800
- Crss(pF)：
10
- Technology：
SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GOFORD(谷峰) |
2447 |
DFN8L-5×6 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
GOFORD |
10 |
询价 | |||||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
GOFORD |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5*6-8L |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Hirose |
2020+ |
N/A |
100 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
Hirose |
22+ |
NA |
100 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
HIROSE |
21+ |
标准封装 |
478 |
保证原装正品,需要请联系张小姐13544103396 |
询价 | ||
HRS/广濑 |
23+ |
NA/原装 |
9390 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
询价 | ||
HRS |
连接器 |
123500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
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