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GT1K2P15D5	文件：672.16 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT1K2P15；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT1K2P15D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：672.16 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	-150V P Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SILVERMICRO/银茂微 IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT-2220	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOKIN 电源滤波器	TOKIN 上传：揭阳普宁铝壳电阻	TOKIN
GT24C1024-2GLI-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	GIANTEC SOP8	Giantec 聚辰股份上传：深圳市微纳尔电子实业有限公司	Giantec

技术参数

Package：
DFN5*6-8L
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-150
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-27
Pd(W)：
138
Vgs(th)max(V)：
-3
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
91
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
96
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
110
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
130
Qg(nC)：
86
Qgs(nC)：
9
Qgd(nC)：
19
Ciss(pF)：
3213
Crss(pF)：
19
Technology：
SGT

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