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GT105N10T	文件：1.032329 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT105N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT105N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.032329 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT105N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HMS105N10D	文件：452.32 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：452.32 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
BSC105N10LSFG	文件：441.34 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：441.34 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
ET105N10-Z	文件：2.77001 Mbytes Page：14 Pages	Standard Size Toggle Switch 文件：2.77001 Mbytes 页数：14 Pages	COPAL 尼得科	COPAL
GT105N10F	文件：708.35 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT105N10F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：708.35 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

更多GT105N10T供应商更新时间2025-10-7 11:06:00