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GT100N12T	文件：1.04569 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT100N12；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT100N12T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.04569 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT100N12TA	文件：1.24804 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT100N12；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT100N12TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.24804 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT100N12TA	文件：1.24804 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT100N12TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.24804 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT100N12TA	文件：1.24804 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT100N12TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.24804 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT100N12TA	文件：1.24804 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT100N12TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.24804 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT100N12T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT100N12T/M	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
120V
Id at 25℃(max)：
70A
PD(max)：
120W
Vgs(th)typ(V)：
3V
RDS(on)(typ)(@10V)：
8mΩ
Qg(nC)：
50
Ciss：
3050
Crss：
22

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GT100N12T		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GT100NA120UX	VISHAY	23+	MODULE	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
浙江永芯科技有限公司	GT100PI120T6H	SILVERMICRO	23+	标准封装	5000	原厂授权一级代理 IGBT模块可控硅晶闸管熔断器质保	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	GT100PI120T6H-M	银茂微	23+	MODULE	4500	专营国产功率器件	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GT101	HAMAT	23+	SIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GT10-100	Gowanda Electronics	25+	径向垂直(开放式)	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价

更多GT100N12T供应商更新时间2025-12-19 11:06:00

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