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GT095N04D5	文件：723.2 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT095N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT095N04D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT095N04D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet;	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT095N04D5A	文件：975.03 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT095N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT095N04D5Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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GT095N04D5

文件：723.2 Kbytes

Page：6 Pages

丝印：GT095N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheGT095N04D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

GT095N04D5

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Trench Mosfet;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

GT095N04D5A

文件：975.03 Kbytes

Page：6 Pages

丝印：GT095N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheGT095N04D5Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS：
40V
Id at 25℃(max)：
54A
PD(max)：
29.8W
Vgs(th)typ(V)：
1.6V
RDS(on)(typ)(@10V)：
5.0mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
7.8mΩ
Qg(nC)：
23
Ciss：
942
Crss：
213

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GT095N04D5		24+	N/A	73000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GT095N10D5	GOFORD	23+	DFN5*6	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多GT095N04D5供应商更新时间2025-7-28 11:06:00

技术参数

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