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GT095N04D5A

丝印:GT095N04;Package:DFN5X6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT095N04D5A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters

文件:975.03 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GT095N04D5

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT095N04D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:723.2 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GT150HF120T1NH-SF

IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

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GT200HF120T2VHE

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上传:深圳市芯纬度科技有限公司

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更多GT095N04D5A供应商 更新时间2025-12-20 16:37:00