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GT090N06K	文件：692.97 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT090N06；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT090N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：692.97 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT090N06K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT090N06MH	文件：1.07666 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT090N06MH uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.07666 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HGB090N06SL	文件：805.9 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Ch Power MOSFET Feature ◇High Speed Power Switching, Logic Level ◇Enhanced Body diode dv/dtcapability ◇EnhancedAvalanche Ruggedness ◇100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇Lead Free, HalogenFree Application ◇Synchronous Rectification in SMPS ◇Hard Switching and High Speed Circuit ◇DC/DCin Telecoms and 文件：805.9 Kbytes 页数：6 Pages	HUNTECK 恒泰柯半导体	HUNTECK
HGB090N06SL	文件：805.9 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Ch Power MOSFET Feature ◇High Speed Power Switching, Logic Level ◇Enhanced Body diode dv/dtcapability ◇EnhancedAvalanche Ruggedness ◇100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇Lead Free, HalogenFree Application ◇Synchronous Rectification in SMPS ◇Hard Switching and High Speed Circuit ◇DC/DCin Telecoms and 文件：805.9 Kbytes 页数：6 Pages	HUNTECK 恒泰柯半导体	HUNTECK

技术参数

Configuration：
N+N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
60V
Id at 25℃(max)：
45A
PD(max)：
52W
Vgs(th)typ(V)：
1.7V
RDS(on)(typ)(@10V)：
7.5mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
10.5mΩ
Qg(nC)：
22
Ciss：
1088
Crss：
18

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更多GT090N06K供应商更新时间2026-1-30 11:06:00

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