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GT090N06D52	文件：904.36 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT090N06；Package：DFN5X6DUAL；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT090N06D52 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：904.36 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT090N06D52	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N+N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT090N06D52A	文件：887.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT090N06；Package：DFN5X6DUAL；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT090N06D52A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：887.89 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT150HF120T1NH-SF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微

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深圳市南科功率半导体有限公司	GT090N06D52	NK/南科功率	2025+	DFN5*6-8L	986966	国产	询价
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上海金庆电子技术有限公司	GT095N10T	GOFORD	21+	TO-220	10050		询价
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更多GT090N06D52供应商更新时间2026-1-29 21:08:00