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GT088N06T	文件：1.0684 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT088N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT088N06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.0684 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT088N06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT150HF120T1NH-SF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT-2220	文件：0 bytes Page：0 Pages	电源滤波器	TOKIN 上传：揭阳普宁铝壳电阻	TOKIN

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
60V
Id at 25℃(max)：
60A
PD(max)：
75W
Vgs(th)typ(V)：
1.4V
RDS(on)(typ)(@10V)：
8mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
10mΩ
Qg(nC)：
24
Ciss：
1620
Crss：
3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GT088N06T供应商更新时间2025-11-24 11:06:00

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