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GT088N06T中文资料60V N Channel SGT MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

GT088N06T

功能描述

60V N Channel SGT MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:07:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT088N06T

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(min)

    :60V

  • Id at 25℃(max)

    :60A

  • PD(max)

    :75W

  • Vgs(th)typ(V)

    :1.4V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :8mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)

    :10mΩ

  • Qg(nC)

    :24

  • Ciss

    :1620

  • Crss

    :3

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