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GT055N06T | 丝印：GT055N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT055N06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：763.18 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
GT055N06T | 60V N Channel SGT MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT055N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：751.84 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT055N06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：970.38 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD |
技术参数
- Package：
TO-220
- Type：
N
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
60
- Vgs(V)：
±20
- Id(A)：
90
- Pd(W)：
78
- Vgs(th)max(V)：
2.5
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
4.1
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
5.7
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
5
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
7
- Qg(nC)：
30
- Qgs(nC)：
4.5
- Qgd(nC)：
5
- Ciss(pF)：
2160
- Crss(pF)：
12
- Technology：
SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LG |
2022+ |
600 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
LG |
05+ |
600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
LG |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
LG |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
LG |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
LG |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
HIROSE/广濑 |
2508+ |
/ |
182881 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
IDT |
16+ |
QFP |
4000 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | ||
IDT |
25+ |
QFP |
6500 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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