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GT055N06T中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

GT055N06T
厂商型号

GT055N06T

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

GT055N06

封装外壳

TO-220

文件大小

763.18 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-11 11:16:00

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GT055N06T规格书详情

Description

The GT055N06T uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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