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GT025N06AD5

丝印:GT025N06;Package:DFN5/6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT025N06AD5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:1.024349 Mbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GT025N06AD5

60V N Channel SGT MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

GT150HF120T1NH-SF

SILVERMICRO/银茂微
IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

SILVERMICRO/银茂微

GT200HF120T2VHE

SILVERMICRO/银茂微
IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

SILVERMICRO/银茂微

GT-2220

TOKIN
电源滤波器

技术参数

  • Package:

    DFN5*6-8L

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    NO

  • Vds(V):

    60

  • Vgs(V):

    ±20

  • Id(A):

    170

  • Pd(W):

    215

  • Vgs(th)max(V):

    2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V:

    1.8

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V:

    2.3

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V:

    2.2

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V:

    2.8

  • Qg(nC):

    102

  • Qgs(nC):

    14

  • Qgd(nC):

    23

  • Ciss(pF):

    5100

  • Crss(pF):

    70

  • Technology:

    SGT

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24+
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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环形MIL规格连接器4CONDUCTORRECPT120AMPS4AWG
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更多GT025N06AD5供应商 更新时间2025-10-4 11:06:00