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GT011N03TLE	文件：965.8 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT011N03；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT011N03TLE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：965.8 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT011N03TLE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
BSC011N03LS	文件：1.53547 Mbytes Page：12 Pages	n-Channel Power MOSFET 文件：1.53547 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC011N03LS	文件：752.74 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：752.74 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC011N03LSI	文件：743.48 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：743.48 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
YES
VDS：
30V
Id at 25℃(max)：
250A
PD(max)：
300W
Vgs(th)typ(V)：
1.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
1.0mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
1.47mΩ
Qg(nC)：
98
Ciss：
6278
Crss：
549

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更多GT011N03TLE供应商更新时间2025-11-24 11:06:00

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