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BSC011N03LSI_13	文件：743.48 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC011N03LST	文件：1.59225 Mbytes Page：13 Pages	OptiMOSTMPower-MOSFET,30V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
GT011N03ME	文件：905.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT011N03MEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
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GT011N03TLE	文件：965.8 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT011N03TLEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

详细参数

型号：
BSC011N03LSI
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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