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BSC011N03LSI | OptiMOSTM Power-MOSFET 文件:743.48 Kbytes 页数:10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
BSC011N03LSI | n-Channel Power MOSFET 文件:1.79232 Mbytes 页数:12 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
OptiMOSTM Power-MOSFET 文件:743.48 Kbytes 页数:10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
BSC011N03LSI | 20V-300V N-Channel Power MOSFET 极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN:
BSC011N03LSIATMA1
- Qualification:
Non-Automotive
- Package name:
PG-TDSON-8
- VDS max:
30 V
- RDS (on) @10V max:
1.1 mΩ
- RDS (on) @4.5V max:
1.5 mΩ
- ID @25°C max:
100 A
- QG typ @10V:
68 nC
- QG typ @4.5V:
34 nC
- Special Features:
Monolithically Integrated Schottky-like Diode
- Polarity:
N
- Operating Temperature min:
-55 °C
- Operating Temperature max:
150 °C
- VGS(th) min:
1.2 V
- VGS(th) max:
2 V
- Technology:
OptiMOS™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
19+ |
TDSON-8 |
39229 |
询价 | |||
INFINEON |
21+ |
TDSON8 |
20000 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
QFN8 |
5600 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TDSON-8 |
12048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
17+ |
TDSON-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
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