Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor

Features • 650 V enhancement mode power transistor • Top-side cooled configuration • RDS(on) = 67 mΩ • IDS(max) = 22.5 A • Ultra-low FOM die • Low inductance GaNPX® package • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 / +10 V) • Very high switching fr

文件：1.01213 Mbytes 页数：15 Pages

GAN

GaN Systems

650V增强型氮化镓晶体管

GS66506T是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66506T是一款顶部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。 • 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片\n• 低电感GaNPX®封装\n• 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）\n• 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）\n• 非常高的开关频率（> 100 MHz）\n• 快速和可控的下降和上升时间\n• 反向电流能力\n• 零反向恢复损耗\n• 小尺寸5.6 x 4.5 mm2占板面积\n• 双门极可实现最佳电路板布局\n• 符合RoHS 6标准;

GaN Systems

6K-Byte/8K-Byte ROM-Contained Single-Chip 4-bit Microcomputer for Control-Oriented Applications

文件：663.26 Kbytes 页数：25 Pages

SANYO

三洋

Four-Bit Single-Chip Microcontroller with 16 KB of On-Chip OTP PROM

Overview The LC66P2316 is an on-chip OTP PROM version of the LC6623XX Series CMOS 4-bit single-chip microcontrollers. The LC66P2316 is appropriate for program development and product evaluation since it provides identical functionality and pin compatibility with the LC662316A. Features and Funct

文件：176.36 Kbytes 页数：27 Pages

SANYO

三洋

4-bit Microcontroller with Built-in PROM??????

4-bit Microcontroller with Built-in PROM

文件：465.91 Kbytes 页数：19 Pages

SANYO

三洋