650 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管的迷你卷轴选项，可实现极致效率和可靠性

GS66504B-MR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性允许高电流、高击穿电压和高开关频率。GS66504B-MR 是采用 GaNPX ®封装的底部冷却晶体管，具有非常低的结到外壳热阻，适用于 ACDC 和 DCDC 转换器、电机驱动器和工业电源等大功率应用。 • E 模式 HEMT – 常关\n• 无反向恢复电荷\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）\n• 零反向恢复损耗\n• 符合 RoHS 3(6+4) 要求;

Infineon

英飞凌

6.35mm Pitch Beau PCB Tri-Barrier Terminal Strip, without Mounting Ends

文件：34.56 Kbytes 页数：2 Pages

MOLEX

莫仕

Bottom-side cooled 650 V E-mode GaN transistor

Features • 650 V enhancement mode power transistor • Bottom-side cooled configuration • RDS(on) = 100 mΩ • IDS(max) = 15 A • Ultra-low FOM die • Low inductance GaNPX® package • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • Very high switchin

文件：975.19 Kbytes 页数：14 Pages

GAN

UDFN4

GSTEK

登丰微电子

上传：深圳市科达星科技有限公司

TDFN10-3X3

GSTEK

登丰微电子

上传：深圳市科达星科技有限公司