首页 >GRM55>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

GRM55DR61H106KA88L

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:524.6 Kbytes 页数:15 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

GRM55DR61H106KA88L

RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件:1.10464 Mbytes 页数:20 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

GRM55DR61H106KA88L

RF Power Field Effect Transis

文件:964.68 Kbytes 页数:15 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

GRM55DR61H106KA88L

RF Power LDMOS Transistors

文件:948.24 Kbytes 页数:19 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

GRM55DR61H106KA88L

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:722.98 Kbytes 页数:17 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

GRM55DR61H106KA88L

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:576.54 Kbytes 页数:18 Pages

恩XP

恩XP

GRM55DR61H106KA88L

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:673.07 Kbytes 页数:18 Pages

恩XP

恩XP

GRM55DR61H106KA88L

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:784.13 Kbytes 页数:17 Pages

恩XP

恩XP

GRM55DR61H106KA88L

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:393.79 Kbytes 页数:18 Pages

恩XP

恩XP

GRM55DR61H106KA88L

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:1.14805 Mbytes 页数:32 Pages

恩XP

恩XP

技术参数

  • 产品特点:

    125℃

  • 长度:

    5.7 ±0.4mm

  • 宽度:

    5.0 ±0.4mm

  • 厚度:

    2.0 +0/-0.3mm

  • 温度特性:

    U2J(EIA)

  • 额定电压:

    630Vdc

  • 静电容量:

    33000pF

  • 静电容量许容差:

    ±5%

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
muRaTa
24+
SMD
92000
询价
村田
1215+
SMD
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
询价
MURATA
2016+
SMD
1000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
MURATA
25+
5750SMD
4897
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
muRata
17+
SMD
100000
原装正品现货
询价
MURATA
24+
原厂原封
5000
只做原装正品
询价
MURATA
24+
2220C
5000
全现原装公司现货
询价
MURATA
23+
SMD被动器件正迈科技
99050
电容电阻被动器件电感磁珠系列样品可出支持批量
询价
MURATA
23+
SMD
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
MURATA
23+
SMD-2220
11888
专做原装正品,假一罚百!
询价
更多GRM55供应商 更新时间2026-2-2 16:30:00