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GRM32NR72A104KA01B	文件：1.07331 Mbytes Page：22 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
GRM32NR72A104KA01L	文件：1.83543 Mbytes Page：14 Pages	60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
GRM32NR72A104KA01L	文件：1.80606 Mbytes Page：14 Pages	30W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
GRM32NR72A104KA01L	文件：1.91471 Mbytes Page：14 Pages	90W GaN WIDE-BAND POWER AMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
GRM32NR72A104KA01L	文件：1.65836 Mbytes Page：14 Pages	120W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
GRM32NR72A104KA01K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：1210（3225 公制）；包装：卷带（TR）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
GRM32NR72A104KA01L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：1210（3225 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
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详细参数

型号：
GRM32NR72A104KA01
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 1210 0.10uF 100volt X7R +/-10%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	GRM32NR72A104KA01	MURATA/村田	24+	SMD	18648	村田全系列可订货,免费送样,账期支持!	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	GRM32NR72A104KA01	MURATA/村田	24+	SMD	60000	全新原装现货	询价
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