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GRM32NR72A104KA01B	文件：1.15243 Mbytes Page：22 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：1.15243 Mbytes 页数：22 Pages	恩XP	恩XP
GRM32NR72A104KA01L	文件：1.65836 Mbytes Page：14 Pages	120W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER 文件：1.65836 Mbytes 页数：14 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
GRM32NR72A104KA01L	文件：1.91471 Mbytes Page：14 Pages	90W GaN WIDE-BAND POWER AMPLIFIER 文件：1.91471 Mbytes 页数：14 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
GRM32NR72A104KA01L	文件：1.80606 Mbytes Page：14 Pages	30W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER 文件：1.80606 Mbytes 页数：14 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

详细参数

型号：
GRM32NR72A104KA01B
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 1210 0.10uF 100volt X7R +/-10%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

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