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MJE3439	文件：60.35 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconHigh?뭋oltagePowerTransistor NPNSiliconHigh−VoltagePowerTransistor Thisdeviceisdesignedforuseinline−operatedequipmentrequiringhighfT. Features •HighDCCurrentGain−hFE=40−160@IC =20mAdc •CurrentGainBandwidthProduct−fT=15MHz(Min)@IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE3439	文件：87.77 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconHigh-VoltagePowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE3439G	文件：82.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconHigh-VoltagePowerTransistor NPNSiliconHigh−VoltagePowerTransistor Thisdeviceisdesignedforuseinline−operatedequipmentrequiringhighfT. Features •HighDCCurrentGain−hFE=40−160@IC =20mAdc •CurrentGainBandwidthProduct−fT=15MHz(Min)@IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE3439G	文件：60.35 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconHigh?뭋oltagePowerTransistor NPNSiliconHigh−VoltagePowerTransistor Thisdeviceisdesignedforuseinline−operatedequipmentrequiringhighfT. Features •HighDCCurrentGain−hFE=40−160@IC =20mAdc •CurrentGainBandwidthProduct−fT=15MHz(Min)@IC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MM3439	文件：161.34 Kbytes Page：27 Pages	Lithium-IonBatteryChargeControlIC	MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD. 美上美三美电机株式会社	MITSUMI
NJ3439KDW	文件：2.35792 Mbytes Page：6 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateMOSFETs FEATURE SurfaceMountPackage LowRDS(on) OperatedatLowLogicLevelGateDrive ESDProtectedGate IncludingaN-chCJ3134KandaP-chCJ3139K independently)InaPackage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PJA3439	文件：278.72 Kbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA3439-AU	文件：295.63 Kbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-500mA	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PN3439	文件：49.46 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.350V). APPLICATIONS •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PST3439	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD. 美上美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3439	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD. 美上美三美电机株式会社	MITSUMI
SM3439NHQA	文件：259.47 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
SM3439NHQAC-TRG	文件：259.47 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
SSI3439J	文件：606.12 Kbytes Page：4 Pages	N&P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SUM3439	文件：515.75 Kbytes Page：4 Pages	N&P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GP3439KDW	GP	21+ROHS	SOT-363	381152	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市惊羽科技有限公司	GP3439KDW	GP	24+25+/26+27+	SOT-363	18800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	GP3458	SK	22+	SOT23-6	54500	原装正品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	GP3463WIR1	GAMMACORE	22+	SOP8	6500	只做原装正品.或订货假一赔十!	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	GP347	CDE	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GP3484S-100MLF	Gowanda Electronics	24+	非标准	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

更多GP3439K供应商更新时间2024-5-22 9:30:00

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