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HM2302F	文件：886.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HNM2302ALB	文件：276.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorSMD Features ■20V,3.7A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ■Ruggedandreliable ■Leadfreeproductisacquired ■SOT-23Package ■MarkingCode:A2SHB CaseMaterial:MoldedPlastic. ULFlammabilityClassificationRating94V-0	HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 浩海电子深圳市浩海电子有限公司	HAOHAI
IR2302	文件：205.29 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
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IR2302	文件：214.81 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2302S	文件：205.29 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
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IR2302SPbF	文件：205.29 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2302STRPBF	文件：212.75 Kbytes Page：22 Pages	Gatedrivesupplyrangefrom5to20V	IRF International Rectifier	IRF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GP2302S供应商更新时间2025-5-18 8:25:00

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