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STGF10NC60HD	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60KD	文件：1.6576 Mbytes Page：30 Pages	10A,600Vshort-circuitruggedIGBT Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features Lowe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GP10NC60KD
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-channel 600V - 10A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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