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GP06S60H	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaN SBD; 苏州捷芯威半导体有限公司已经成功推出600V GaN SBD，其VR≥600V，Vf≤1.3V@6A。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。	Gpower 捷芯威	Gpower
IDB06S60C	文件：748.14 Kbytes Page：7 Pages	2ndGenerationthinQSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDC06S60C	文件：61.02 Kbytes Page：4 Pages	2ndgenerationthinQSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDC06S60CE	文件：112.26 Kbytes Page：4 Pages	2ndgenerationthinQ!TMSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDH06S60C	文件：241.27 Kbytes Page：3 Pages	SiCSchottkyRectifier FEATURES ·SwitchingBehaviorBenchmark ·NoForwardRecovery ·NoReverseRecovery ·HighSurgeCurrentCapability APPLICATIONS ·MotorDrives ·Switchmodepowersupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IDH06S60C	文件：440.47 Kbytes Page：7 Pages	2ndGenerationthinQSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDT06S60C	文件：424.92 Kbytes Page：7 Pages	2ndgenerationthinQSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDT06S60C	文件：237.87 Kbytes Page：7 Pages	2ndgenerationthinQSiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDV06S60C	文件：1.31786 Mbytes Page：10 Pages	2ndGenerationthinQ!SiCSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
RWT06S60	文件：54.95 Kbytes Page：1 Pages	WALLDUCT,STRAIGHTLENGTH5FTW/COVER	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

技术参数

Vf-V-typ：
1.3
If(25℃)（A）：
6
Package：
TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GP06S60H供应商更新时间2025-7-28 15:01:00

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