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GP06S60H	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaN SBD 苏州捷芯威半导体有限公司已经成功推出600V GaN SBD，其VR≥600V，Vf≤1.3V@6A。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。	Gpower 捷芯威	Gpower
IDB06S60C	文件：748.14 Kbytes Page：7 Pages	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode 文件：748.14 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDC06S60C	文件：61.02 Kbytes Page：4 Pages	2nd generation thinQ SiC Schottky Diode 文件：61.02 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDC06S60CE	文件：112.26 Kbytes Page：4 Pages	2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode 文件：112.26 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Vf-V-typ：
1.3
If(25℃)（A）：
6
Package：
TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	GP-070F-5H-NB03A	GROOVYTECHNOLOGYCORP	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多GP06S60H供应商更新时间2025-10-10 15:01:00

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