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HABT2907A	文件：396.5 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGTRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HCPS2907	文件：398.5 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGTRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HCPS2907A	文件：398.89 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGTRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HK-A2907-FREQ	文件：362.07 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALCLOCKOSCILLATORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HK-A2907-FREQ	文件：218.24 Kbytes Page：2 Pages	DifferentialPositiveECL(DPECL) Description TheHK-2900SeriesofquartzcrystaloscillatorsprovideDPECLFastEdgecompatiblesignals.Thisdeviceistooperateusingpositivevoltageandusesmultiplegroundpinsforimprovedsignalintegrity.ThisdeviceisintendedtooperateonpositivevoltageforPECLapplications. Fea	NEL NEL Frequency Controls, Inc.	NEL
HM2907	文件：1.11107 Mbytes Page：4 Pages	N-channelenhancementmodeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2907	文件：310.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingappli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM2907A	文件：31.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHM2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhighspeed,medium-powerswitchingapplications. Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Highspeedswitching •ForcomplementaryusewithNPNtypeHM2222A	HSMC 华昕	HSMC
HMBT2907	文件：29.89 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,mediumpowerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitching •ForComplementaryUseWithNPNTypeHMBT2222A	HSMC 华昕	HSMC
HMBT2907A	文件：29.89 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,mediumpowerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitching •ForComplementaryUseWithNPNTypeHMBT2222A	HSMC 华昕	HSMC
HPN2907A	文件：37.61 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPN2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhighspeed,medium-powerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationvoltage •HighSpeedSwitching •ForComplementaryUsewithNPNTypeHPN2222A	HSMC 华昕	HSMC
IIRF2907Z	文件：339.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFP2907	文件：334.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFP2907Z	文件：335.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2907S	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907Z	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907Z	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907Z	文件：339.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2907ZL	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907ZL	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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晶体管资料

型号：
GES2907
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
高速（HS）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.35A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX50,2N4403,2SA503,2SA546,2SA581,2SA708,3CK10C,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
图片代号：
A-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
.35
wtest：
.36

详细参数

型号：
GES2907
功能描述：
SILICON TRANSISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GES4121		21+ROHS	TO-92	32687	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	GES5305	GESS	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海金庆电子技术有限公司	GES5308	CENTRALSEMICONDUCTOR	新		7532	全新原装货期两周	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	GES5308	TOSHIBA/东芝	23+	TO92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	GES5308	TOSHIBA/东芝	2022	TO92	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	GES5308	TOSHIBA/东芝	23+	NA/	200	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	GES5815	harris	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
深圳市星佑电子有限公司	GES5816	GENERALELECT	05+	原厂原装	4291	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	GES5816		23+	N/A	58600	一级代理放心采购	询价
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