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GES5305	文件：126.29 Kbytes Page：4 Pages	SILICON DARLINGTON TRANSISTORS Silicon Darlington Transistors 文件：126.29 Kbytes 页数：4 Pages	GESS	GESS
GES5305	文件：70.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Darlington Transistors Silicon Darlington Transistors 文件：70.69 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
GES5305	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington 25V 0.3A	NJS	NJS
HFCT-5305	文件：178.09 Kbytes Page：8 Pages	Gigabit Ethernet: 1.25 GBd 1300 nm Laser Transceiver in Low Cost 1 x 9 Package Style Description General Transmitter Section The transmitter section consists of a 1300 nm Laser in an eye safe optical subassembly, (ELSA), which mates to the fiber cable. The ELSA is driven by a custom silicon bipolar IC which converts differential PECL logic signals, ECL referenced to a +5 V suppl 文件：178.09 Kbytes 页数：8 Pages	HP 安捷伦	HP
HLP5305	文件：309.29 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：309.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HM5305	文件：423.23 Kbytes Page：9 Pages	Boost high-power LED constant current driver 文件：423.23 Kbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

晶体管资料

型号：
GES5305
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2N5305,2SC1472K,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-10
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
0.4

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65ﾡC
Minimum DC Current Gain：
2000@2mA@5V
Maximum Operating Temperature：
125ﾡC
Maximum Emitter Base Voltage：
12V
Maximum Continuous DC Collector Current：
0.3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum Collector Base Voltage：
25V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
1.6@0.2mA@200mAV
Configuration：
Single

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