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GES5819

Signal Transistors

文件:216.05 Kbytes 页数:4 Pages

GESS

GES5819

Silicon Transistors

文件:156.6 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

GES5819

Trans GP BJT PNP 40V 0.75A

NJS

GES5819-J1

Small Signal Transistors

文件:54.29 Kbytes 页数:1 Pages

Central

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.75@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    40V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.75A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    135ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    500mW

  • Maximum Transition Frequency:

    135(Min)MHz

  • Type:

    PNP

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更多GES5819供应商 更新时间2025-10-4 11:10:00