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GE28F160C3TD70A	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 16M PARALLEL 46VFBGA	Micron 美光	Micron
GE28F160C3TD70A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：46-VFBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 16MBIT PARALLEL 46VFBGA	ELPIDA 尔必达	ELPIDA
GT28F160C3TD70	文件：1.12721 Mbytes Page：68 Pages	Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The 0.25 µm 3 Volt Advanced+ Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability (2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Flexible 文件：1.12721 Mbytes 页数：68 Pages	Intel 英特尔	Intel
RC28F160C3TD70	文件：1.12721 Mbytes Page：68 Pages	Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The 0.25 µm 3 Volt Advanced+ Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability (2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Flexible 文件：1.12721 Mbytes 页数：68 Pages	Intel 英特尔	Intel
TE28F160C3TD70	文件：1.12721 Mbytes Page：68 Pages	Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The 0.25 µm 3 Volt Advanced+ Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability (2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Flexible 文件：1.12721 Mbytes 页数：68 Pages	Intel 英特尔	Intel

产品属性

产品编号：
GE28F160C3TD70A
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - 引导块
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
46-VFBGA
供应商器件封装：
46-VFBGA（7.29x6.96）
描述：
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 46VFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GE28F160C3TD70A供应商更新时间2025-10-6 13:02:00

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