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GB10HF60KD	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Operating junction temperature up to 175 °C ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Tight parameter distribution ■ Ultrafast soft-recovery antiparallel diode ■ Short-circuit rugged Applications ■ Motor drives ■ High fre 文件：477.41 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10HF60KDT4	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	丝印：GB10HF60KD；Package：D2PAK；10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Operating junction temperature up to 175 °C ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Tight parameter distribution ■ Ultrafast soft-recovery antiparallel diode ■ Short-circuit rugged Applications ■ Motor drives ■ High fre 文件：477.41 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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GD10HF60KD	文件：760.14 Kbytes Page：21 Pages	Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode 文件：760.14 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GF10HF60KD	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Operating junction temperature up to 175 °C ■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) ■ Tight parameter distribution ■ Ultrafast soft-recovery antiparallel diode ■ Short-circuit rugged Applications ■ Motor drives ■ High fre 文件：477.41 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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