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STGB10HF60KD	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB10HF60KDT4	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	Marking：GB10HF60KD；Package：D2PAK；10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STGD10HF60KD	文件：760.14 Kbytes Page：21 Pages	Automotive-grade10A,600V,short-circuitruggedIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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