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STGD10HF60KD	文件：760.14 Kbytes Page：21 Pages	Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGD10HF60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 10A DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB10HF60KD	文件：477.41 Kbytes Page：13 Pages	10A-600V-short-circuitruggedIGBT Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GD10HF60KD	文件：760.14 Kbytes Page：21 Pages	Automotive-grade10A,600V,short-circuitruggedIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGD10HF60KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.75V @ 15V，5A
开关能量：
45µJ（开），105µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9.5ns/87ns
测试条件：
400V，5A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 600V 10A DPAK

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