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GAN111

型号:GAN111-650WSB;Package:TO-247-3L;650 V, 97 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package

1.Generaldescription TheGAN111-650WSBisa650V,97mΩGalliumNitride(GaN)FETinaTO-247package.Itisa normally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMTH2technologyand low-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance.

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更多GAN111供应商 更新时间2025-8-2 9:30:00