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GAL16V8D-10LPI	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPI	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPN	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPN	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LPNI	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LR	文件：293.59 Kbytes Page：8 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice

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技术参数

延迟时间 tpd（1）最大值：
10ns
电源电压 - 内部：
4.75 V ~ 5.25 V
宏单元数：
8
工作温度：
0°C ~ 75°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
20-DIP（0.300\，7.62mm）
供应商器件封装：
20-PDIP

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更多GAL16V8D供应商更新时间2025-7-27 9:38:00

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