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GAL16V8D-10LS	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
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GAL16V8D-10LJ	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
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GAL16V8D-10LJ	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
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GAL16V8D-10LJ	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL16V8D-10LJI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL16V8D-10LJI	文件：395.51 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL16V8D-10LJI	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL16V8D-10LJI	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL16V8D-10LJI	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
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详细参数

型号：
GAL16V8D-10LS
功能描述：
SPLD - 简单可编程逻辑器件 16 INPUT 8 OUTPUT 5V LOW POWER 10ns
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
逻辑系列：
TICPAL22V10Z
大电池数量：
10
最大工作频率：
66 MHz
延迟时间：
25 ns
工作电源电压：
4.75 V to 5.25 V
电源电流：
100 uA
最大工作温度：
+ 75 C
最小工作温度：
0 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
DIP-24

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更多GAL16V8D-10LS供应商更新时间2024-5-16 14:06:00

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