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G80P03D5	文件：903.16 Kbytes Page：5 Pages	丝印：G80P03；Package：DFN5/6；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The G80P03D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：903.16 Kbytes 页数：5 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G80P03D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G8P-1A4P	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP4	欧姆龙上传：深圳市星佑电子有限公司	欧姆龙
G8P-1A4P-12VDC	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP4	OMRON 欧姆龙上传：深圳市恒达亿科技有限公司	OMRON
G8P-1A4TP-24VDC	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 欧姆龙上传：深圳市恒达亿科技有限公司	OMRON

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-30V
Id at 25℃(max)：
-33A
PD(max)：
104W
Vgs(th)typ(V)：
-1.4V
RDS(on)(typ)(@10V)：
5mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
6.5mΩ
Qg(nC)：
30
Ciss：
5386
Crss：
673

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更多G80P03D5供应商更新时间2025-12-6 11:06:00

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